光电子半导体芯片

摘要

在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体芯片包括支承体（2）和生长在支承体（2）上的半导体层序列（3）。半导体层序列（3）基于氮化物化合物半导体材料，并且包括至少一个用于产生电磁辐射的有源区（4）以及至少一个波导层（5），所述波导层间接地或直接地邻接到有源区（4）上，其中形成波导（45）。此外，半导体层序列（3）包括在有源区（4）的n掺杂的侧上的n包层（6n）或/和在p掺杂的侧上的邻接到波导层（4）上的p包层（6p）。波导层（5）间接地或直接地邻接包层（6n、6p）。在此，在波导中引导的模式（M）的有效折射率（n_eff）大于支承体（2）的折射率。

主权项

光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片包括支承体(2)和设置在所述支承体上的、基于氮化物化合物半导体材料的半导体层序列(3)，所述半导体层序列具有‑至少一个有源区(4)，所述有源区设置用于产生电磁辐射，‑至少一个波导层(5)，所述波导层邻接于所述有源区(4)，其中形成波导(45)，和‑所述有源区(4)的n掺杂侧处的n包层(6n)和邻接于所述波导层(5)的p掺杂侧处的p包层(6p)，其中在所述波导(45)中引导的模式的有效折射率大于所述支承体(2)的折射率，其中，‑至少所述n包层(6n)被划分为至少两个具有彼此不同的平均铝含量的子层，‑所述n包层(6n)的第一半部(H1)具有比所述包层(6n)的第二半部(H2)更高的平均铝含量，其中所述半部(H1、H2)是同样厚的，所述半部(H1、H2)为n包层(6n)的虚拟的划分并且所述第一半部(H1)离所述波导(45)更近，‑所述第一半部(H1)的平均铝含量超出所述第二半部(H2)的平均铝含量至少0.1个百分点，‑在所述波导(45)中引导的模式的所述有效折射率位于所述n包层(6n)的平均折射率和所述波导(45)的所述平均折射率之间，并且‑所述n包层(6n)的所述平均折射率小于所述支承体(2)的所述折射率。