| 发明名称 | 基片刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：第一刻蚀步骤，向反应腔室通入刻蚀气体和辅助气体，并开启激励电源和偏压电源，以对基片刻蚀预定工艺时间，其中，预定工艺时间为自开始刻蚀至掩膜开始横向收缩的时间段；辅助气体包括碳氟化合物气体；第二刻蚀步骤，停止向反应腔室内通入辅助气体，同时继续向反应腔室通入刻蚀气体，并保持激励电源和偏压电源开启，直至完成预定刻蚀深度。本发明提供的基片刻蚀方法，其不仅可以消除侧壁拐角，以获得理想的基片形貌，而且可以提高生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104253035A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201310262527.7 | 申请日期 | 2013.06.27 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 谢秋实 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：第一刻蚀步骤，向反应腔室通入刻蚀气体和辅助气体，并开启激励电源和偏压电源，以对基片刻蚀预定工艺时间，其中，所述预定工艺时间为自开始刻蚀至掩膜开始横向收缩的时间段；所述辅助气体包括碳氟化合物气体；第二刻蚀步骤，停止向反应腔室内通入所述辅助气体，同时继续向反应腔室通入刻蚀气体，并保持激励电源和偏压电源开启，直至完成预定刻蚀深度。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||