| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构、包含其的晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及浅沟槽隔离结构、包含其的晶体管及其制作方法。一种浅沟槽隔离（STI）结构的制作方法，其特征在于包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成多个第一沟槽，其中所述多个第一沟槽分别包括具有上窄下宽形状的上部分；在所述第一沟槽内填充有氧化物层；在所述氧化物层中形成第二沟槽，其中在第一沟槽的顶部处，所述第二沟槽的横向宽度与第一沟槽的横向宽度相同；在所述第二沟槽中填充氮化物层，以使得在第二沟槽顶部处，所述氮化物层密封所述氧化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN104253079A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201310255287.8 | 申请日期 | 2013.06.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元;蒋骏 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离（STI）结构的制作方法，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成多个第一沟槽，其中所述多个第一沟槽分别包括具有上窄下宽形状的上部分；在所述第一沟槽内填充有氧化物层；在所述氧化物层中形成第二沟槽，其中在第一沟槽的顶部处，所述第二沟槽的横向宽度与第一沟槽的横向宽度相同；在所述第二沟槽中填充氮化物层，以使得在第二沟槽顶部处，所述氮化物层密封所述氧化物层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||