一种具有电荷输运限制的高压发光二极管

摘要

一种具有电荷输运限制的高压发光二极管及其制备工艺，属于半导体光电子器件领域。其高压发光二极管的主要结构依次包括：电极、接触层、有源区、隔离槽、未掺杂电流限制层、反型防护层组成的LED结构。该结构是：利用ICP刻蚀隔离槽的方法，将LED独立绝缘开来，通过第二接触层、未掺杂电流限制层、反型防护层形成载流子输运限制结构，限制其在工作时处于反向状态，最后溅射金属进行串联，形成发光二极管阵列。本发明取代原有的刻蚀至衬底的方法，大大降低了隔离槽的深度，解决了绝缘层良好包覆在隔离槽侧壁的问题，使器件的制备不必采用深刻蚀工艺。同时该结构对器件提供静电保护，提高了器件的可靠性。

主权项

一种具有电荷输运限制的高压发光二极管，其特征在于：外延片依次包括有第一接触层(2)、第一限制层(3)、有源区(4)、第二限制层(5)、第二接触层(6)、未掺杂电流限制层(9)、反型防护层(10)、缓冲层(11)、衬底(12)；在上述外延片上刻蚀有隔离槽(8)；隔离槽(8)的最深端刻蚀至未掺杂电流限制层(9)内，隔离槽(8)台阶的最浅端刻蚀至第二接触层(6)内，隔离槽(8)内的未掺杂电流限制层(9)与第二接触层(6)之间构成台阶，在所述的台阶上淀积有金属连接层(7)，金属连接层(7)均连接到与该台阶的最深端相邻的第一接触层(2)上的绝缘隔离层(13)上；在所述隔离槽(8)的侧壁及隔离槽(8)中的未掺杂电流限制层(9)上设置有绝缘隔离层；所述的外延片最左端的第一接触层上焊接有第一电极(1)；所述的外延片最右端的第二接触层上焊接有第二电极(15)；反型防护层(10)的导电类型与第二接触层相反，第二接触层(6)、未掺杂电流限制层(9)以及反型防护层(10)相串联构成载流子输运限制结构(14)。