发明名称 |
エネルギー貯蔵デバイスのエネルギー密度及び達成可能な電力出力を増やす方法 |
摘要 |
エネルギー貯蔵デバイスのエネルギー密度を増やす方法は、原子層堆積プロセスを使用して前記エネルギー貯蔵デバイスの多孔質構造内に材料を堆積することにより、多孔質構造のチャネル内で電解質が浸透する距離を増やすように設計された手順を実行することにより、もしくは誘電性材料を前記多孔質構造内に置くことにより、前記エネルギー貯蔵デバイスの電気容量を増やすことを有する。もう一つの方法は、電気伝導性の物質を前記構造の表面に拡散させるため、及びその上に電気伝導性層を形成するため、前記エネルギー貯蔵デバイスをアニールすることを有する。もう一つのエネルギー密度を増やす方法は降伏電圧を増やすこと有し、別の方法は偽キャパシタを形成することを有する。エネルギー貯蔵デバイスの達成可能な電力出力を増やす方法は、電気伝導性材料を前記多孔質構造内に堆積することを有する。【選択図】 図1 |
申请公布号 |
JP2014535124(A) |
申请公布日期 |
2014.12.25 |
申请号 |
JP20140531787 |
申请日期 |
2011.09.30 |
申请人 |
インテル コーポレイション |
发明人 |
ガードナー,ドナルド,エス.;チェン,ジャオホゥイ;ジン,ウエイ シー.;クレンデニング,スコット ビー.;ハンナ,エリック シー.;アルドリッジ,トム ヴィー.;ガスタフソン,ジョン エル. |
分类号 |
H01M4/04;H01G9/055;H01G11/70;H01G11/86;H01M4/62;H01M10/0568 |
主分类号 |
H01M4/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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