发明名称 金属或半导体熔融液的精制方法和真空精制装置
摘要 本发明的目标是在对金属或半导体熔体的精炼中,在不损害精炼效率的情况下缓解与由流动熔体中的不稳定性导致的坩埚不平相伴的磨损和撕裂,以及在长时期内允许安全操作从而不发生从坩埚的泄漏。提供一种金属或半导体熔体精炼方法,其中通过使用AC电阻加热加热器作为坩埚加热方法,将熔体保温并通过由电阻加热加热器产生的旋转磁场混合。金属或半导体熔体精炼方法和用于精炼方法的最佳真空精炼装置的特征在于:为了当通过旋转磁场使熔体旋转时在熔体与坩埚底面之间的边界中不出现流体不稳定性,设熔体的运动粘度系数为v(m<sup>2</sup>/秒)、熔体的流体表面的半径为R(m)、且熔体的旋转角速度为Ω(弧度/秒),进行使被定义为Re=R×(Ω/v)^(1/2)的雷诺数(Re)的值不超过600的操作。
申请公布号 CN104245579A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201280069123.X 申请日期 2012.02.06
申请人 菲罗索拉硅太阳能公司 发明人 岸田丰;堂野前等;近藤次郎;后藤洁;大桥渡
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 柳春琦
主权项 一种金属或半导体熔融液纯化方法,所述金属或半导体熔融液纯化方法在借助旋转磁场搅拌容纳在坩埚中的所述金属或半导体熔融液的同时进行纯化,所述坩埚由被布置成包围所述坩埚的外壁的加热器加热,其特征在于,当所述熔融液的动态粘度系数为v(m<sup>2</sup>/秒),所述熔融液的液面半径为R(m),并且所述熔融液的旋转角速度为Ω(弧度/秒)时,进行纯化以使由以下等式(2)表示的雷诺数Re值不超过600Re=R×(Ω/v)^(1/2)…(2)。
地址 西班牙马德里