发明名称 |
一种集成功率器件与控制器件的方法 |
摘要 |
本发明涉及集成电路制造技术领域,尤其涉及一种集成功率器件与控制器件的方法,通过本发明的方法,既能使功率芯片和控制芯片相互独立的设计和制作,保证其性能、成本的优势,同时不采用连线和常规封装就能完成控制电路和芯片器件的互连;并通过共享减薄和背面金属工艺,进一步了降低制造成本,同时提高了功率器件的性能,且由于加厚了功率器件背面漏极的金属,从而进一步减小了器件的导通电阻。 |
申请公布号 |
CN104241201A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201410430704.2 |
申请日期 |
2014.08.28 |
申请人 |
武汉新芯集成电路制造有限公司 |
发明人 |
梅绍宁;肖胜安;鞠韶复;朱继锋 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
吴俊 |
主权项 |
一种集成功率器件与控制器件的方法,其特征在于,包括如下步骤:提供制备有功率器件的功率芯片和制备有控制电路的控制芯片,且所述功率芯片上设置有漏区;采用正面键合工艺将所述功率芯片垂直键合至所述控制芯片上形成一键合芯片后,对所述功率芯片的背面进行减薄工艺;在所述功率芯片的背面形成与所述漏区重叠的金属结构;继续于所述功率芯片暴露的背面上刻蚀所述键合芯片形成若干硅通孔,并于所述若干硅通孔中填充金属,以形成将所述功率器件与所述控制电路电连接的互连线,以及将所述功率器件、所述控制电路分别与所述键合芯片外部结构电连接的金属引线。 |
地址 |
湖北省武汉市东湖开发区南新四路18号 |