发明名称 |
一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法 |
摘要 |
本发明提供的一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,针对不曾引起本领域技术人员关心与思考的因素的改进,通过能量激发的方式增加p型CdTe层的电子传输能力和电子浓度,实现了在热处理后的CdTe层上有效电沉积富Te层。同时,本发明提供的方法中还通过阴极电位渐变的方法,实现了富Te层中Te/Cd比例可控,在远离碲化镉薄膜太阳能电池衬底的方向上,Te原子浓度呈现梯度增加。 |
申请公布号 |
CN104241439A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201310351320.7 |
申请日期 |
2013.08.13 |
申请人 |
北京恒基伟业投资发展有限公司 |
发明人 |
张征宇;武卫兵;李伟中 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 |
代理人 |
张建纲 |
主权项 |
一种碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法,包括在透明基板垂直方向上依次制备TCO层、CdS层、CdTe层、富Te层,其特征在于,所述富Te层制备方法包括如下步骤:S1、在CdCl<sub>2</sub>存在条件下,将表面制备有CdTe层的碲化镉薄膜太阳能电池半成品进行高温退火热处理;S2、将步骤S1制得的碲化镉薄膜太阳能电池半成品置于包括阳极、阴极以及参比电极的三电极体系电沉积装置内,将TCO层连接阴极,对电极连接阳极,电沉积液中碲前驱物含量为0.1~0.3mmol/L,镉盐含量为0.2~0.5mol/L,将所述电沉积液加热到80~90℃或在CdTe层上制备所述富Te层的沉积面上垂直引入可见光,采用阴极电位渐变脉冲沉积或连续扫描电位沉积进行富Te层的沉积。 |
地址 |
100083 北京市海淀区中关村东路18号财智国际大厦C座10层 |