| 发明名称 | 一种制作半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括下列步骤，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低k层间介电层和位于所述低k层间介电层中的金属互连结构；采用六甲基二硅烷处理所述金属互连结构露出的顶面，以形成金属覆盖层；在所述低k层间介电层和所述金属覆盖层上形成电介质覆盖层。根据本发明的制造工艺采用六甲基二硅氮烷处理所述金属铜层以形成金属覆盖层为器件提供更好的附着性、较低的线电阻和良好的电迁移性能，提高器件的可靠性和良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN104241192A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201310231915.9 | 申请日期 | 2013.06.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓浩 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成低k层间介电层和位于所述低k层间介电层中的金属互连结构；采用六甲基二硅烷处理所述金属互连结构露出的顶面，以形成金属覆盖层；在所述低k层间介电层和所述金属覆盖层上形成电介质覆盖层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||