| 发明名称 | 一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管，底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且各覆盖部分双层石墨烯有源区，金属源电极与金属漏电极选取不同材料，对于n型器件，金属源电极的功函数较大，与其接触的石墨烯呈p型掺杂，金属漏电极的功函数较小，与其接触的石墨烯呈n型掺杂；p型器件的电极与n型器件相反；顶栅介质层覆盖在金属源电极、金属漏电极与两电极之间的石墨烯上，顶栅电极位于顶栅介质层的上方，且与金属源电极和金属漏电极都交叠。该器件制备工艺简单，与传统的双层石墨烯场效应晶体管相比，此隧穿场效应晶体管的金属源电极和漏电极分别完成。 | ||
| 申请公布号 | CN104241378A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201410458211.X | 申请日期 | 2014.09.10 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 黄如;王佳鑫;黄芊芊;吴春蕾;朱昊;赵阳 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 朱红涛 |
| 主权项 | 一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管，其特征是，包括一个底栅电极(1)、一个底栅介质层(2)、一个双层石墨烯有源区(5)、一个金属源电极(6)、一个金属漏电极(7)、一个顶栅介质层(8)和一个顶栅电极(9)；所述底栅介质层(2)位于底栅电极(1)的上方；双层石墨烯有源区(5)位于底栅介质层(2)的上方；金属源电极(6)和金属漏电极(7)分别在双层石墨烯有源区(5)的两端，且各覆盖部分双层石墨烯有源区(5)；金属源电极(6)与金属漏电极(7)选取不同材料，对于n型器件，金属源电极(6)的功函数较大，与其接触的石墨烯呈p型掺杂，金属漏电极(7)的功函数较小，与其接触的石墨烯呈n型掺杂；而p型器件的电极与n型器件相反，即：金属源电极(6)的功函数较小，金属漏电极(7)的功函数较大；所述的功函数较大指的是功函数大于5.4eV，所述的功函数较小指的是功函数小于4.5eV；顶栅介质层(8)覆盖在金属源电极(6)、金属漏电极(7)与两电极之间的石墨烯上，顶栅电极(9)位于顶栅介质层(8)的上方，且与金属源电极(6)和金属漏电极(7)都交叠，各交叠的长度均大于100nm。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||