电子发射冷阴极器件

摘要

本发明涉及一种器件(11,21)，其包括：阴极(14)，该阴极位于阴极平面上并且在有源区(11a)中包括具有平行于第一参考方向(z)的主延伸方向的一个或多个阴极直指状端子(14b)；对于每个阴极端子(14b)而言，一个或多个电子发射器(14c)形成在所述阴极端子(14b)上并且与之欧姆接触；以及栅电极(15)，该栅电极(15)位于平行于所述阴极平面并与所述阴极平面间隔开的栅极平面上，栅电极不与阴极(14)重叠，并且栅电极在有源区(11a)中包括具有平行于第一参考方向(z)的主延伸方向的两个或更多个栅极直指状端子(15b)；其中，栅极端子(15b)与所述阴极端子(14b)交错。

主权项

一种电子发射冷阴极器件(11,21)，包括阴电极(14)，所述阴电极(14)位于阴极平面上并且在有源区(11a)中包括阴极指状结构(14a)，所述阴极指状结构(14a)包括一个或多个阴极直指状端子(14b)，每个所述阴极直指状端子(14b)具有平行于第一参考方向(z)的相应主延伸方向；所述器件(11,21)进一步包括针对每个阴极直指状端子(14b)的一个或多个相应电子发射器(14c)，所述电子发射器(14c)形成在所述阴极直指状端子(14b)上并且与所述阴极直指状端子(14b)欧姆接触；其中，每个电子发射器(14c)具有垂直于所述阴极平面的相应主延伸方向；所述器件(11,21)进一步包括栅电极(15)，所述栅电极(15)位于平行于所述阴极平面并且与所述阴极平面间隔开的栅极平面上，所述栅电极(15)不与所述阴电极(14)重叠并且在所述有源区(11a)中包括栅极指状结构(15a)，所述栅极指状结构(15a)包括两个或更多个栅极直指状端子(15b)，每个所述栅极直指状端子(15b)具有平行于所述第一参考方向(z)的相应主延伸方向；其中，所述栅极直指状端子(15b)与所述阴极直指状端子(14b)交错并且被设计为在使用中调制由所述电子发射器(14c)发射的电子束。