N通道半导体非易失性存储器的超低功率程序化方法

摘要

本发明提供一种N通道半导体非易失性存储器的超低功率程序化方法。相较于传统通道热电子注入程序化方式是将N通道半导体非易失性存储器的源极电极接地，本发明必须将一N通道半导体非易失性存储器的源极浮接、没有任何电压偏压，以避免产生朝向该漏极电极的施加电场。本发明施加一个相对于基板的正电压V_DB于该N通道半导体非易失性存储器的漏极电极，始其反向偏压，以促进于P型基板内的价能带电子穿隧进入N型漏极电极的导电能带。之后，再施加一高的正电压脉冲至该N通道半导体非易失性存储器的栅极电极，以收集朝向该N通道半导体非易失性存储器的电荷储存物质的表面带能量电子。

主权项

一种N通道半导体非易失性存储器的超低功率程序化方法，用以程序化一N型非易失存储器装置，其特征在于，所述N型非易失存储器装置形成于一基板中，并包含一源极、一漏极、一储存物质以及一控制栅极，所述方法包含以下步骤：浮接所述源极；施加一第一电压偏压于所述漏极与一第二电压偏压于所述基板，使得一漏极至基板接面被反向偏压；以及在一段预设时间内，施加一电压脉冲于所述控制栅极；其中，所述电压脉冲的电压位准大于所述第一电压偏压；以及其中，所述电压脉冲的电压位准大于所述第二电压偏压。