发明名称 | 半导体装置及其控制方法 | ||
摘要 | 本发明提供半导体装置及其控制方法,通过准确监视温度来合适进行过热保护动作。在发射极端子侧从动作电流(I<sub>CE</sub>)分支出的第1检测电流、第2检测电流分别流过第1感应元件(21)、第2感应元件(22),此时在该两端产生的电压分别被检测为输出电压(V<sub>S1</sub>、V<sub>S2</sub>)。第1感应元件(21)是在形成有IGBT(10)的开关元件芯片上的电阻元件。第2感应元件(22)是与开关元件芯片分开单独设置的电阻元件。通过一同使用(V<sub>S1</sub>)和(V<sub>S2</sub>),可以一同计算出动作电流(I<sub>CE</sub>)和IGBT(10)的温度(T)。 | ||
申请公布号 | CN104242882A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
申请号 | CN201410240733.2 | 申请日期 | 2014.05.30 |
申请人 | 三垦电气株式会社 | 发明人 | 前川祐也;鸟居克行 |
分类号 | H03K17/08(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/08(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;金玲 |
主权项 | 一种半导体装置,其具有:形成有开关元件的开关元件芯片;和控制电路芯片,其形成有控制电路,且与所述开关元件芯片分开,该控制电路在所述开关元件过热时进行切断所述开关元件的过热保护动作,该半导体装置的特征在于,在所述开关元件芯片中,输出从所述开关元件的动作电流分支出的检测电流,该半导体装置具有:第1感应元件,其设置在所述开关元件芯片上,并被构成为检测出所述检测电流流过时的输出电压的结构;和第2感应元件,其设置在所述开关元件芯片的外部,并被构成为检测出所述检测电流流过时的输出电压,所述控制电路通过所述第2感应元件的输出电压来检测所述动作电流,且利用所述第2感应元件的输出电压和检测出的所述动作电流来进行所述过热保护动作。 | ||
地址 | 日本埼玉县 |