| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Metallstruktur in einem Halbleitersubstrat vorgeschlagen, das sich einfach und kostengünstig in einen MEMS- und/oder CMOS-Prozess integrieren lässt und zudem eine sehr platzsparende Realisierung von elektrisch isolierten Metallstrukturen mit geringer parasitärer Kapazität zum umgebenden Substrat ermöglicht. Dazu wird im Bereich der zu erzeugenden Metallstruktur (5) mindestens eine Öffnung (15) in der Rückseite des Halbleitersubstrats (10) erzeugt, die sich zumindest bis zum vorderseitigen Schichtaufbau erstreckt. Diese Öffnung (15) wird dann zumindest teilweise mit mindestens einem Metall (5) verfüllt, so dass eine Metallstruktur (5) entsteht, die sich von der Rückseite des Halbleitersubstrats (10) zumindest bis zum vorderseitigen Schichtaufbau erstreckt. Erst danach wird die Rückseite des Halbleitersubstrats (10) für einen Trenchprozess zum Freistellen der Metallstruktur (5) maskiert, und zwar so, dass die Trenchmaske in einem an die Metallstruktur (5) angrenzenden Bereich eine Gitterstruktur (6) aufweist. Dann wird ein an die Metallstruktur (5) angrenzender Isolationstrench (7) erzeugt, wobei die Metallstruktur (5) als lateraler Ätzstopp wirkt und die Gitterstruktur (6) in der Trenchmaske lateral unterätzt wird. Schließlich wird noch mindestens eine Verschlussschicht (18) auf die Trenchmaske aufgebracht, so dass der Isolationstrench (7) unter der Gitterstruktur (6) als Hohlraum abgeschlossen wird.</p> |
