氮化镓晶体管的制作方法

摘要

本发明是有关于一种氮化镓晶体管的制作方法，包含一准备步骤、一开口形成步骤、一离子布值步骤、一介电层形成步骤、一源/漏极沉积步骤，及一栅极沉积步骤，首先准备一含N型氮化镓半导体材料的半导体多晶层，于该半导体多晶层上形成一定义出一开口的遮覆层，接着对该半导体多晶层进行P型离子布值，于该半导体多晶层形成一掺杂区，再于该半导体多晶层表面沉积一层由高介电常数材料构成的介电层，之后于该半导体多晶层表面对应该掺杂区两侧形成一源极及一漏极，再于对应该掺杂区上方的介电层表面形成一栅极，即可完成该氮化镓晶体管的制作。

主权项

一种氮化镓晶体管的制作方法，其特征在于：包含一准备步骤，准备一发光元件，该发光元件具有一基板，及一形成在该基板上，含有N型氮化镓系半导体材料的半导体多晶层，该半导体多晶层具有由该基板依序向上形成的一第一氮化镓多晶膜、一氮化铝镓多晶膜，及一第二氮化镓多晶膜；一开口形成步骤，先于该半导体多晶层表面形成一由绝缘材料构成的第一遮覆层，及一形成于该第一遮覆层表面的第二遮覆层，且该第二遮覆层定义出一使该第一遮覆层部分表面裸露的开口；一等离子体处理步骤，是以等离子体处理方式使氟离子经由该开口进入该氮化铝镓多晶膜中；一离子布值步骤，以离子布值方式自该开口向下对该第二氮化镓多晶膜进行P型离子布值，于该第二氮化镓多晶膜向下形成一深度不大于该第二氮化镓多晶膜厚度的二分之一的掺杂区，之后将该第一、二遮覆层移除，使该半导体多晶层露出；一介电层形成步骤，于该半导体多晶层上沉积一层由高介电常数材料构成的介电层；一源/漏极沉积步骤，以微影蚀刻方式将该介电层对应该掺杂区两侧的结构移除至该半导体多晶层裸露出，接着于该裸露出的半导体多晶层沉积金属，于该掺杂区两侧形成一源极及一漏极；及一栅极沉积步骤，于该介电层的预定表面沉积金属形成一栅极，即可完成该氮化镓晶体管的制作。