用于常关化合物半导体晶体管的栅极堆叠

摘要

本公开的实施例涉及一种用于常关化合物半导体晶体管的栅极堆叠。常关化合物半导体晶体管包括异质结构体和在异质结构体上的栅极堆叠。异质结构体包括源极、与源极间隔开的漏极和用于连接源极和漏极的沟道。沟道包括由于压电效应在异质结构体中出现的第一极性的第一二维电荷载流子气。栅极堆叠控制栅极堆叠下方的异质结构体区域中的沟道。栅极堆叠包括至少一种III族氮化物材料，该材料由于压电效应在栅极堆叠中或在栅极堆叠下方的异质结构体中产生与第一极性相反的第二极性的第二二维电荷载流子气。第二二维电荷载流子气使第一二维电荷载流子气中的极化电荷反向平衡，从而沟道在栅极堆叠下方被破坏。

主权项

一种常关化合物半导体晶体管，包括：异质结构体，包括源极、与所述源极间隔开的漏极和用于连接所述源极和所述漏极的沟道，所述沟道包括由于压电效应在所述异质结构体中出现的第一极性的第一二维电荷载流子气；以及在所述异质结构体上的栅极堆叠，用于控制所述栅极堆叠下方的异质结构体区域中的沟道，所述栅极堆叠包括至少一种III族氮化物材料，所述至少一种III族氮化物材料由于压电效应在所述栅极堆叠中或在所述栅极堆叠下方的异质结构体中产生与所述第一极性相反的第二极性的第二二维电荷载流子气，所述第二二维电荷载流子气使所述第一二维电荷载流子气中的极化电荷反向平衡，从而所述沟道在所述栅极堆叠下方被破坏。