发明名称 高氮掺杂石墨烯与超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片的复合材料及其制备方法
摘要 一种高氮掺杂石墨烯与超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片的复合材料及其制备方法,通过将溶解于水和乙二醇的钼源、硒源和低氮掺杂石墨烯充分混合后,在作为活性剂的乙二胺作用下进行溶剂热反应,使得超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片均匀生长到石墨烯上的同时,低氮掺杂石墨烯被深度掺杂,最终得到高氮掺杂石墨烯‐超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片复合材料。本发明合成的高氮掺杂的石墨烯/硒化钼纳米片同时具备高导电、高催化等优良性能,可以广泛应用于光催化及化学催化、太阳能电池及其他新能源电池的电极、超级电容器电极材料上。
申请公布号 CN104240792A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201410391036.7 申请日期 2014.08.11
申请人 上海交通大学 发明人 毕恩兵;陈汉;韩礼元
分类号 H01B1/04(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;B01J27/24(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 H01B1/04(2006.01)I
代理机构 上海交达专利事务所 31201 代理人 王毓理;王锡麟
主权项 一种高氮掺杂石墨烯与超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片的复合材料的制备方法,其特征在于,通过将溶解于水和乙二醇的钼源、硒源和低氮掺杂石墨烯充分混合后,在作为活性剂的乙二胺作用下进行溶剂热反应,使得超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片均匀生长到石墨烯上的同时低氮掺杂石墨烯被深度掺杂,得到高氮掺杂石墨烯‐超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片复合材料。
地址 200240 上海市闵行区东川路800号