发明名称 |
高氮掺杂石墨烯与超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片的复合材料及其制备方法 |
摘要 |
一种高氮掺杂石墨烯与超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片的复合材料及其制备方法,通过将溶解于水和乙二醇的钼源、硒源和低氮掺杂石墨烯充分混合后,在作为活性剂的乙二胺作用下进行溶剂热反应,使得超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片均匀生长到石墨烯上的同时,低氮掺杂石墨烯被深度掺杂,最终得到高氮掺杂石墨烯‐超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片复合材料。本发明合成的高氮掺杂的石墨烯/硒化钼纳米片同时具备高导电、高催化等优良性能,可以广泛应用于光催化及化学催化、太阳能电池及其他新能源电池的电极、超级电容器电极材料上。 |
申请公布号 |
CN104240792A |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
CN201410391036.7 |
申请日期 |
2014.08.11 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
毕恩兵;陈汉;韩礼元 |
分类号 |
H01B1/04(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;B01J27/24(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01B1/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 31201 |
代理人 |
王毓理;王锡麟 |
主权项 |
一种高氮掺杂石墨烯与超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片的复合材料的制备方法,其特征在于,通过将溶解于水和乙二醇的钼源、硒源和低氮掺杂石墨烯充分混合后,在作为活性剂的乙二胺作用下进行溶剂热反应,使得超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片均匀生长到石墨烯上的同时低氮掺杂石墨烯被深度掺杂,得到高氮掺杂石墨烯‐超薄MoSe<sub>2</sub>纳米片复合材料。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |