发明名称 |
Verfahren zum Einbringen von radioaktiven Elementen in eine phosphathaltige Kristallstruktur |
摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einbringen von radioaktiven Elementen in eine phosphathaltige Kristallstruktur und umfasst folgende Schritte:–Mischen einer Thoriumionen enthaltenden wässrigen, Lösung mit–einer weiteren wässrigen Lösung, die dreiwertige Seltenerdmetallionen enthält,–Versetzen dieser Mischung mit Phosphationen,–Ausfällen eines kristallinen Phosphates, das Thoriumionen und Seltenerdionen enthält und dabei eine Monazit- oder Xenotim-Struktur aufweist bzw. nach dem Ausfällen in eine derartige Struktur überführt wird.</p> |
申请公布号 |
DE102013211938(A1) |
申请公布日期 |
2014.12.24 |
申请号 |
DE201310211938 |
申请日期 |
2013.06.24 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
HANEBUTH, MARC;STANZEL, MANFRED;WOLFRUM, SONJA |
分类号 |
C01B25/37 |
主分类号 |
C01B25/37 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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