发明名称 Verfahren zum Einbringen von radioaktiven Elementen in eine phosphathaltige Kristallstruktur
摘要 <p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einbringen von radioaktiven Elementen in eine phosphathaltige Kristallstruktur und umfasst folgende Schritte:–Mischen einer Thoriumionen enthaltenden wässrigen, Lösung mit–einer weiteren wässrigen Lösung, die dreiwertige Seltenerdmetallionen enthält,–Versetzen dieser Mischung mit Phosphationen,–Ausfällen eines kristallinen Phosphates, das Thoriumionen und Seltenerdionen enthält und dabei eine Monazit- oder Xenotim-Struktur aufweist bzw. nach dem Ausfällen in eine derartige Struktur überführt wird.</p>
申请公布号 DE102013211938(A1) 申请公布日期 2014.12.24
申请号 DE201310211938 申请日期 2013.06.24
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 HANEBUTH, MARC;STANZEL, MANFRED;WOLFRUM, SONJA
分类号 C01B25/37 主分类号 C01B25/37
代理机构 代理人
主权项
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