| 发明名称 | 半导体器件结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件结构及其制作方法。其中，该半导体器件结构包括：衬底，具有沟槽，沟槽的开口位于衬底的第一表面；有源区，设置于沟槽两侧的衬底中；栅极结构，包括设置于沟槽表面上的栅氧层、设置于栅氧层表面上的第一多晶硅层和设置于第一多晶硅层上的第二多晶硅层，第一多晶硅层为非掺杂多晶硅或者轻掺杂多晶硅，第二多晶硅层为重掺杂多晶硅。上述半导体器件结构同时实现了沟槽两侧衬底上多晶硅的彻底刻蚀，以及位于沟槽侧壁上的多晶硅对有源区的很好覆盖，进而减少了器件性能的失效和成品率的损失。 | ||
| 申请公布号 | CN104241339A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201410535529.3 | 申请日期 | 2014.10.11 |
| 申请人 | 丽晶美能（北京）电子技术有限公司 | 发明人 | 义夫 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 董文倩;吴贵明 |
| 主权项 | 一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：衬底(10)，具有沟槽，所述沟槽的开口位于所述衬底(10)的第一表面；有源区(30)，设置于所述沟槽两侧的所述衬底(10)中；栅极结构(20)，包括设置于所述沟槽表面上的栅氧层(21)、设置于所述栅氧层(21)表面上的第一多晶硅层(22)和设置于所述第一多晶硅层(22)上的第二多晶硅层(23)，所述第一多晶硅层(22)为非掺杂多晶硅或者轻掺杂多晶硅，所述第二多晶硅层(23)为重掺杂多晶硅；其中，所述有源区(30)的远离所述第一表面的底面与所述第一表面的距离为H1，所述第一多晶硅层(22)的上表面与所述第一表面的垂直距离为H2，所述第二多晶硅层(23)的上表面与所述第一表面的垂直距离为H3，并且所述H1大于所述H2，所述H3大于所述H2。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号方兴大厦1010室 | ||