| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，源电极包括第一源电极和第二源电极，漏电极包括第一漏电极和第二漏电极，第一源电极和第一漏电极设置于有源层上方；刻蚀阻挡层设置于第一源电极和第一漏电极上方；第二源电极和第二漏电极设置于刻蚀阻挡层上方，第一源电极与第二源电极电连接，第一漏电极与第二漏电极电连接，第一源电极、第一漏电极与刻蚀阻挡层部分重叠；源电极和漏电极通过有源层连接。本发明还公开了一种薄膜晶体管的制备方法、阵列基板和显示设备。本发明薄膜晶体管的沟道长度小，从而提高了薄膜晶体管的开启电流，同时本发明还改善了源漏电极与有源层的欧姆接触问题，提高了薄膜晶体管的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN104241392A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201410334150.6 | 申请日期 | 2014.07.14 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 张锋;曹占锋;姚琪 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层(4)、刻蚀阻挡层(7)、源电极和漏电极，其中：所述源电极包括第一源电极(5)和第二源电极(8)，所述漏电极包括第一漏电极(6)和第二漏电极(9)，所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)设置于所述有源层(4)的上方；所述刻蚀阻挡层(7)设置于所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)的上方，用于保护位于所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)之间的有源层部分；所述第二源电极(8)和第二漏电极(9)设置于所述刻蚀阻挡层(7)的上方，所述第一源电极(5)与第二源电极(8)电连接，所述第一漏电极(6)与第二漏电极(9)电连接，所述第一源电极(5)、第一漏电极(6)与所述刻蚀阻挡层(7)部分重叠；所述源电极和漏电极通过所述有源层(4)连接。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||