| 发明名称 | 半导体器件形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成牺牲层；在所述牺牲层表面形成导电层，所述导电层至少包括位于牺牲层表面的第一导电层和位于第一导电层表面的第二导电层；采用第一等离子体刻蚀工艺对所述第二导电层进行蚀刻，直至暴露出第一导电层，形成开口；在所述开口的侧壁的第二导电层表面形成保护层；沿侧壁形成有所述保护层的开口、采用第二等离子体刻蚀工艺对所述第一导电层进行蚀刻，直至暴露出牺牲层，其中第二等离子体刻蚀工艺的各向异性弱于第一等离子体刻蚀工艺。本发明形成的半导体器件性能优良。 | ||
| 申请公布号 | CN104241108A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
| 申请号 | CN201310231998.1 | 申请日期 | 2013.06.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 洪中山 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成牺牲层；在所述牺牲层表面形成导电层，所述导电层至少包括位于牺牲层表面的第一导电层和位于第一导电层表面的第二导电层；采用第一等离子体刻蚀工艺对所述第二导电层进行蚀刻，直至暴露出第一导电层，形成开口；在所述开口的侧壁的第二导电层表面形成保护层；沿侧壁形成有所述保护层的开口、采用第二等离子体刻蚀工艺对所述第一导电层进行蚀刻，直至暴露出牺牲层，其中第二等离子体刻蚀工艺的各向异性弱于第一等离子体刻蚀工艺。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||