一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件

摘要

本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件在正向或负向ESD脉冲作用下，内部横向PNP结构的反向PN结被触发导通，同时另一个N阱中的正向PN结导通，会产生由一个横向PNP晶体管以及一个正向二极管串联构成的ESD电流泄放路径。通过分别拉伸两个PNP的基区宽度，可以单独改变正向或负向ESD脉冲来临时器件的维持电压，提高器件工作的灵活性。

主权项

一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，其特征在于，包括P型衬底(101)，所述P型衬底内设有第一N型阱(102)，第二N型阱(103)，第一N型阱(101)内注有第一P+注入区(104)，第二P+注入区(105)，第一N+注入区(106)，第二N型阱(103)内注有第二N+注入区(107)，第三P+注入区(108)，第四P+注入区(109)，其中：所述P型衬底(101)、第一N型阱(102)和第二N型阱(103)上均覆盖有氧化隔离层，从左到右依次是第一氧化隔离层(110)、第二氧化隔离层(111)、第三氧化隔离层(112)、第四氧化隔离层(113)和第五氧化隔离层(114)。