Direktwachstum von Diamant in Durchkontakten auf der Rückseite von GaN HEMT Bauteilen

摘要

Ein GaN Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (GaN high-electron-mobility transistor (HEMT)) hat ein Substrat aus Siliziumcarbid (SiC Substrat) mit einer Oberseite und einer Unterseite, bei dem das Substrat ferner einen Durchkontakt aufweist, der von der Rückseite her in das Substrat hinein ausgebildet ist. Das Bauteil weist eine Vielzahl von Epitaxieschichten auf, die auf der Oberseite des Substrats ausgebildet sind, eine Vielzahl von Bauteilschichten, die auf den Epitaxieschichten vorgesehen sind, und eine Diamantschicht, die innerhalb des Durchkontakts vorgesehen ist.