半导体装置及半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种电路基板(1)，其第一绝缘层(21)于25℃以上、玻璃转移点以下之基板面内方向之平均线膨胀系数(A)，为3ppm/℃以上、30ppm/℃以下。又，第二绝缘层(23)于25℃以上、玻璃转移点以下之基板面内方向之平均线膨胀系数(B)与第三绝缘层(25)于25℃以上、玻璃转移点以下之基板面内方向之平均线膨胀系数(C)相等。(B)及(C)大于(A)，(A)与(B)之差、(A)与(C)之差为5ppm/℃以上、35ppm/℃以下。

主权项

一种半导体装置，其包括：电路基板部；及半导体晶片，积层于该电路基板部上，且自上述电路基板部之基板面侧观察时，为与上述电路基板部大致相同尺寸；上述电路基板部具备有：第一绝缘层，使导电体可贯通；第一电路层，设置于上述第一绝缘层之一侧且与上述导电体连接；第二绝缘层，被覆上述第一电路层并且于上述第一电路层之一部分上形成有开口；第二电路层，设置于上述第一绝缘层之另一侧且与上述导电体连接；第三绝缘层，用以被覆上述第二电路层；以及焊锡层，设置于上述第二绝缘层之开口内且设置于上述第一电路层上；上述第一绝缘层于25℃以上、玻璃转移点以下之基板面内方向之平均线膨胀系数(A)为3ppm/℃以上、30ppm/℃以下，上述第二绝缘层于25℃以上、玻璃转移点以下之基板面内方向之平均线膨胀系数(B)与上述第三绝缘层于25℃以上、玻璃转移点以下之基板面内方向之平均线膨胀系数(C)相等，上述第二绝缘层于25℃以上、玻璃转移点以下之基板面内方向之平均线膨胀系数(B)及上述第三绝缘层于25℃以上、玻璃转移点以下之基板面内方向之平均线膨胀系数(C)，大于上述第一绝缘层之平均线膨胀系数(A)，上述第一绝缘层之平均线膨胀系数(A)与上述第二绝缘层之平均线膨胀系数(B)之差、上述第一绝缘层之平均线膨胀系数(A)与上述第三绝缘层之平均线膨胀系数(C)之差为5ppm/℃以上、35ppm/℃以下；上述电路基板部之侧面与上述半导体晶片之侧面形成于同一面。