| 发明名称 |
用于奈米结构加工之导电性助层之沉积及选择性移除 |
| 摘要 |
揭示一种制备一或多个奈米结构之方法，该方法包含：在基板之上表面上沈积导电层；在该导电层上沈积图案化触媒层；在该触媒层上生长该一或多个奈米结构；及选择性移除该一或多个奈米结构之间及周围之该导电层。亦揭示一种装置，其包含基板，其中该基板包含一或多个由一或多个绝缘性区域隔开之暴露金属岛；导电性助层，其安置于该基板上以覆盖该一或多个暴露金属岛或绝缘性区域中之至少一些；触媒层，其安置于该导电性助层上；及一或多个奈米结构，其安置于该触媒层上。 |
| 申请公布号 |
TWI465389 |
申请公布日期 |
2014.12.21 |
| 申请号 |
TW098105596 |
申请日期 |
2009.02.23 |
| 申请人 |
斯莫勒科技公司 瑞典 |
发明人 |
伯格 乔纳斯;德斯马瑞斯 文森;卡毕尔 摩哈玛德 夏非库尔;摩哈玛德 阿明;布鲁德 大卫 |
| 分类号 |
B82B3/00;H01L21/20 |
主分类号 |
B82B3/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
一种制备一或多个奈米结构之方法，该方法包含：在基板之上表面上沈积导电性助层；在该导电性助层上沈积图案化触媒层；在该触媒层上生长该一或多个奈米结构；及选择性移除该一或多个奈米结构之间及周围之该导电性助层。 |
| 地址 |
瑞典 |
