三族氮化合物半导体发光二极体

摘要

一种三族氮化合物半导体发光二极体，其包含一基板、一缓冲层、一N型半导体材料层、一主动层及一P型半导体材料层。该主动层包含至少一量子井层、至少两个夹设该量子井层之电障层及至少一个应力调整层，其中该应力调整层系设于该量子井层及一电障层之间，且该应力调整层之三族氮化合物材料组成系延该量子井层朝向邻接该电障层方向递变分布。

主权项

一种三族氮化合物半导体发光二极体，包含：一基板；一N型半导体材料层，系形成于该基板上；一主动层，系形成于该N型半导体材料层上，包含至少一量子井层、至少两个夹设该量子井层之电障层及至少一个应力调整层，其中该应力调整层系设于量子井层及该两个电障层其中之一者之间，又该应力调整层之三族氮化合物材料组成系延该量子井层朝向邻接之该电障层方向递变分布，该应力调整层之厚度大于该量子井层之厚度，但小于该电障层之厚度；以及一P型半导体材料层，系形成于该量子井层上。