利用原位氮电浆处理及非原位紫外光固化来增加氮化矽拉伸应力之方法

摘要

可藉由在较高之温度下沈积而提高氮化矽层的应力。采用一种能使一基板实际加热至高于400℃的设备(例如，一种陶制而非铝制的加热器)，则初镀之氮化矽膜可展现出增强的应力，使位于其下的MOS电晶体元件的性能得以提升。根据其他实施例，一氮化矽沈积膜系在一高温下曝露于紫外光(UV)下以进行硬化，从而助使自膜中移除氢并增进膜应力。根据又其他实施例，一氮化矽膜在形成上，系利用一种采多个沈积/硬化循环的整合制程，以维护下方高起特征尖角处之膜层的完整。而相继膜层间的附着力，则可藉由在每一循环中纳入一紫外光硬化后之电浆处理而获得提升。

主权项

一种形成氮化矽之方法，该方法包含：(i)将含有一表面之一基板配置于一制程室中之一陶制支撑件上；(ii)藉由在一高于400℃之温度下将该表面曝露于一含矽前驱物气体，而将一氮化矽层沈积于该基板之该表面上；(iii)在沉积该氮化矽层后，以一电浆处理该氮化矽层；其后(iv)将该氮化矽层曝露于紫外光辐射；及(v)在将该氮化矽层曝露于该紫外光辐射后，以一第二氮电浆处理该氮化矽层。