半导体装置及其制造方法

摘要

实施形态的半导体装置系具备：半导体基板、及设于上述半导体基板上的层间绝缘膜、及设于上述层间绝缘膜内的配线、及设于上述层间绝缘膜内的通孔。在装置区域的周围的周边区域之上述层间绝缘膜的内部形成有上述配线及上述通孔被连结于上下方向的垂直构造体。在被配置于上述周边区域的周围构成外缘部的端缘区域之上述层间绝缘膜的内部的至少上部未形成有上述配线及上述通孔被连结于上下方向的垂直构造体。

主权项

一种半导体装置，其特征系具备：半导体基板；设于上述半导体基板上，下部含低介电常数膜的层间绝缘膜；设于上述层间绝缘膜内的配线；及设于上述层间绝缘膜内的通孔，在装置区域的周围的周边区域之上述层间绝缘膜的内部形成有上述配线及上述通孔被连结于上下方向的垂直构造体，在配置于上述周边区域的周围构成外缘部的端缘区域之上述层间绝缘膜的上述下部形成有上述配线及上述通孔被连结于上下方向的垂直构造体，在上述层间絶缘膜的上部未形成有上述配线及上述通孔，形成于上述端缘区域的上述下部的上述垂直构造体系露出于外面。