使用含金属盐之剥除溶液使金属蚀刻速率降低

摘要

本发明系提供一种抗蚀剥离剂及其使用方法，该抗蚀剥离剂系用于在供半导体积体电路使用的半导体元件上制造电路板及/或形成电极，其具有降低的金属蚀刻率，特别是铜蚀刻率。较佳的蚀刻剂包含低浓度的铜盐或钴盐，及包含或不包含添加之胺，以改良铜盐或钴盐的溶解度。本发明进一步提供根据此等方法制备之积体电路装置以及电子内联结构。

主权项

一种自基材上移除抗蚀剂之方法，其包含以下步骤：(a)提供上面具有抗蚀剂以及金属的基材；及(b)藉由使该基材与包含剥离溶液之组成物接触而移除抗蚀剂，该组成物系经调配以包含选自由铜盐和钴盐所组成之群组之金属。