| 摘要 |
<p>層（１）の移動方法は、（ａ）初期基板上に接合エネルギーＥ０にて層（１）を設ける、（ｂ）中間接合エネルギーＥｉにて層（１）の表側面（８）を中間基板（５）上に接合する、（ｃ）初期基板を層（１）から脱離させる、（ｄ）最終接合エネルギーＥｆにて裏側面（９）を最終基板（１１）に接合する、を含み、ステップ（ｂ）はシロキサン結合Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉを形成するステップを含み、ステップ（ｃ）は第１の無水雰囲気にて行うと共にステップ（ｆ）は第２の湿潤雰囲気中にて行うことにより、中間接合エネルギーＥｉがステップ（ｃ）では第１の値Ｅｉ１を取り且つステップ（ｆ）では第２の値Ｅｉ２を取ると共に、Ｅｉ１＞Ｅ０で且つＥｉ２＜Ｅｆとなるようにする。【選択図】図１Ｉ</p> |
