Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle und einer Verbindungshalbleiterschicht hierfür

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle und einer Verbindungshalbleiterschicht hierfür. 1. Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Photovoltaik-Dünnschicht vom Verbindungshalbleitertyp und einer Dünnschichtsolarzelle, die eine derart hergestellte Verbindungshalbleiterschicht als Absorberschicht aufweist. 2. Erfindungsgemäß wird eine polykristalline, als Solarzellen-Absorberschicht verwendbare Photovoltaik-Dünnschicht durch Umwandeln einer Flüssigphasen-Vorläuferschicht mittels optischer Bestrahlung derselben mit einer kontinuierlichen oder gepulsten Strahlung hergestellt. Die Flüssigphasen-Vorläuferschicht wird durch Aufbringen eines Flüssigmaterials auf einem Substrat gebildet, wobei das Flüssigmaterial dergestalt bereitet wird, dass es Konstituenten der herzustellenden Photovoltaik-Dünnschicht enthält. Für den Bestrahlungsschritt wird die Intensität oder Energie der Strahlung zwischen einem Minimalwert und einem Maximalwert eingestellt, die jeweils in Abhängigkeit von Materialparametern und Dicke der Flüssigphasen-Vorläuferschicht vorgegeben werden. 3. Verwendung z. B. zur Herstellung von Dünnschichtsolarzellen vom CIGS-Verbindungshalbleitertyp.