Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

摘要

Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen ersten Störstellenbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der auf einer Seite einer oberen Oberfläche des Substrats ausgebildet ist, einen zweiten Störstellenbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps, der auf der Seite der oberen Oberfläche des Substrats und in Kontakt mit dem ersten Störstellenbereich ausgebildet ist, wobei der zweite Störstellenbereich den ersten Störstellenbereich seitlich umgibt und im Querschnitt betrachtet eine größere Tiefe als der erste Störstellenbereich aufweist, und eine die Durchschlagspannung verbessernde Struktur des zweiten Leitfähigkeitstyps, die so ausgebildet ist, dass sie den zweiten Störstellenbereich seitlich umgibt. Eine Grenze zwischen dem ersten und dem zweiten Störstellenbereich weist eine maximale Störstellenkonzentration gleich oder geringer als jene des zweiten Störstellenbereichs auf und ein Strom wird zwischen einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche des Substrats angelegt.