| 发明名称 | 一种刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种刻蚀方法，包括：提供衬底，所述衬底包括绝缘层及其上的半导体层；在所述半导体层上形成掩膜层，所述掩膜层具有宽度不同的图案；在预定时间内刻蚀所述半导体层，以形成沟槽，部分沟槽暴露绝缘层；在所述沟槽内壁形成保护层；继续刻蚀所述半导体层。保护层对刻蚀完毕的沟槽侧壁起到了保护作用，避免后继刻蚀在沟槽底部横向刻蚀形成底切，改善缺口效应，工艺简单，利于提高器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104211010A | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
| 申请号 | CN201310216921.7 | 申请日期 | 2013.06.03 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 洪培真;李春龙;王文武;李俊峰;赵超;朱慧珑 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 王立民 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，包括：提供衬底，所述衬底包括绝缘层及其上的半导体层；在所述半导体层上形成掩膜层，所述掩膜层具有宽度不同的图案；在预定时间内刻蚀所述半导体层，以形成沟槽，部分沟槽暴露绝缘层；在所述沟槽内壁形成保护层；继续刻蚀所述半导体层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||