一种LED晶片微焊共晶方法

摘要

一种LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，包括筛选配比合适的银锡焊料；预热基片或底座；焊料涂布，将银锡焊料涂布于基片支架上，用于固定LED晶片位置，并通过助焊剂加热使焊料融化填充于支架LED共晶位置上；给基片蒸镀上一层厚度为1µm以上的保护层，所述保护层为银、金或其它合金；在共晶温度下将芯片焊接到基片上；在直接加热、热超声或对点加热的条件下将焊接好的产品进行共晶焊接处理。

主权项

一种LED晶片微焊共晶方法，其特征在于，包括 筛选配比合适的银锡焊料； 清洁基片支架； 预热基片或底座；预热用于拾取晶片的吸头； 焊料涂布，将银锡焊料涂布于基片支架上，用于固定LED晶片位置，并通过助焊剂加热使焊料融化填充于支架LED共晶位置上； 给基片蒸镀上一层厚度为1.5μm以上的保护层，所述保护层为银、金或其它合金； 在共晶温度下将芯片焊接到基片上；在焊接前和焊接过程中，定期用表面温度计监测焊接面的温度，最佳共晶温度为260‑282摄氏度； 在直接加热、热超声或对点加热的条件下将焊接好的产品进行共晶焊接处理； 在焊接过程中，焊接环境为真空或加入保护气体，所述保护气体为惰性气体、氢气或氮氢混合气体。