一种制备具有八面体结构的In₂S₃薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备具有八面体结构的In₂S₃薄膜的方法，包括以下步骤：步骤一、将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，超声处理后将导电基片烘干；步骤二、将含铟前驱体、含硫前驱体和有机配体溶于水中制得溶液，有机配体为半胱氨酸和还原谷胱甘肽的混合物；步骤三、将步骤一中烘干的导电基片置入步骤二中制得的溶液中并加热，反应完全后，用水冲洗导电基片，制得具有八面体结构的In₂S₃薄膜。本发明的In₂S₃薄膜的制备方法，工艺简单，生产成本低，制得的In₂S₃薄膜具有八面体结构，且八面体结构的大小可调，采用的导电基片是透明的导电基片，适于直接制备电子器件，容易被推广应用。

主权项

一种制备具有八面体结构的In₂S₃薄膜的方法，其特征是：具体步骤如下：步骤一、将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，超声处理后将导电基片烘干；步骤二、将含铟前驱体、含硫前驱体和有机配体溶于水中制得溶液，所述的有机配体为半胱氨酸和还原谷胱甘肽的混合物；所述的含铟前驱体与含硫前驱体的摩尔比为1：1至1：12；所述的含铟前驱体与有机配体的摩尔比为1：0.1至1：2；所述的半胱氨酸和还原谷胱甘肽的摩尔比为1：0.1至1：1；步骤三、将步骤一中烘干的导电基片置入步骤二中制得的溶液中并加热，反应完全后，用水冲洗导电基片，制得具有八面体结构的In₂S₃薄膜。