| 发明名称 | 集成电路的输出驱动器的共享静电放电保护 | ||
| 摘要 | 一种用于保护集成电路(IC)内金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)输出驱动器免于静电放电(ESD)伤害的系统，包含一第一MOSFET输出驱动器及一第二MOSFET输出驱动器位于一共用IC扩散材料(205)内。该系统包含一接触环(225、325、420)耦接至共用IC扩散材料内并沿着环绕MOSFET输出驱动器的周围的外侧边缘安置。每一MOSFET输出驱动器的形心位置均相同于环绕二MOSFET输出驱动器的周围的形心(385、460)。每一MOSFET输出驱动器具有一R<sub>sub</sub>值(基板电阻值275和280)，其在ESD事件发生的MOSFET输出驱动器中起始双载子骤返。上述的R<sub>sub</sub>值取决于自每一MOSFET输出驱动器的形心至上述接触环的复合距离。 | ||
| 申请公布号 | CN102484112B | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
| 申请号 | CN201080038157.3 | 申请日期 | 2010.04.15 |
| 申请人 | 吉林克斯公司 | 发明人 | 理查·C·李;詹姆士·卡普 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;姜精斌 |
| 主权项 | 一种用于保护一集成电路IC内的金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET输出驱动器免于静电放电ESD事件的系统，其特征在于，该系统包含：一第一MOSFET输出驱动器和一第二MOSFET输出驱动器，配置于一共用IC扩散材料内；以及一接触环，配置于该共用IC扩散材料内并沿着环绕该第一MOSFET输出驱动器和该第二MOSFET输出驱动器的一周围的一外侧边缘安置，其中每一该MOSFET输出驱动器的一形心位置均相同于由该第一MOSFET输出驱动器的一区域和该第二MOSFET输出驱动器的一区域所界定的一区域的一形心，其中每一该MOSFET输出驱动器均具有一基板电阻值R<sub>sub</sub>，其在一ESD事件发生的MOSFET输出驱动器中起始双载子骤返，且其中该R<sub>sub</sub>值取决于从每一该MOSFET输出驱动器的形心至该接触环的一复合距离。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||