静电放电保护结构及其形成方法

摘要

一种静电放电保护结构及其形成方法，所述静电放电保护结构包括：半导体基片，贯穿所述半导体基片的硅通孔结构，所述硅通孔结构包括第一表面和第二表面；位于所述硅通孔结构的第一表面的隧穿介质层，所述隧穿介质层的面积大于所述硅通孔结构的俯视面积，使得所述隧穿介质层还覆盖硅通孔结构周围的部分半导体基片表面，且所述隧穿介质层内离散分布有金属材料。在未进行静电放电时，利用隧穿介质层使得第一电极和第二电极电学隔离；当静电放电时，由于静电电压很高，使得隧穿介质层内离散分布的金属材料之间发生隧穿效应，第一电极和第二电极导通，利用所述硅通孔结构进行静电放电，可以提高芯片的面积利用率。

主权项

一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：半导体基片，贯穿所述半导体基片的硅通孔结构，所述硅通孔结构具有第一表面和第二表面；位于所述硅通孔结构的第一表面的隧穿介质层，所述隧穿介质层的面积大于所述硅通孔结构的俯视面积，使得所述隧穿介质层还覆盖硅通孔结构周围的部分半导体基片表面，且所述隧穿介质层内离散分布有金属材料；位于所述隧穿介质层表面的第一电极；位于所述硅通孔结构第二表面的第二电极。