半导体装置之制造方法;METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

系具备有：在半导体基板上依序形成绝缘膜、第1材料膜之工程；和在第1材料膜上形成具有矩形的第1开口之遮罩膜之工程；和将遮罩膜作为遮罩而对于第1材料膜进行乾蚀刻，以在第1材料膜上形成于第1方向上具有短边之椭圆形的第2开口之工程。形成遮罩膜之工程，系包含有：形成具有与第1开口之第1方向相对向之侧面的第2材料膜和具有与第1开口之第2方向相对向之侧面的第3材料膜之工程，第3材料膜之厚度，系较第2材料膜之厚度更厚。