| 发明名称 |
用于半导体元件之改良低电阻接触;IMPROVED LOW RESISTANCE CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES |
| 摘要 |
本发明提供一种藉由提供一第一锗(Ge)层(120)及一第二金属层而在一锗(Ge)基板上形成至少一金属锗化物接触以用于提供一半导电元件(100)之方法。本发明提供以下步骤：以高能量密度脉冲使该第二层与该第一层反应以获得具有与下伏第一锗(Ge)层之一实质上平面介面之一锗化物金属层(160A)。 |
| 申请公布号 |
TW201447987 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
| 申请号 |
TW103103668 |
申请日期 |
2014.01.29 |
| 申请人 |
爱克西可法国公司 |
发明人 |
雷 道菲;马瑞研 夏耶斯塔;贺伊特 卡林姆 |
| 分类号 |
H01L21/265(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>陈长文</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
法国 |
