包含具有应力通道区之电晶体的设备及其形成方法;DEVICE INCLUDING A TRANSISTOR HAVING A STRESSED CHANNEL REGION AND METHOD FOR THE FORMATION THEREOF

摘要

一种装置包括底材、P通道电晶体以及N通道电晶体。底材包括第一半导体材料的第一层以及第二半导体材料的第二层。第一与第二半导体材料具有不同的晶格常数。P通道电晶体包括在底材之第一部位中具有压缩应力的通道区。P通道电晶体的通道区包括第一半导体材料之第一层的一部分以及第二半导体材料之第二层的一部分。N通道电晶体包括在底材之第二部位中形成具有拉伸应力的通道区。N通道电晶体的通道区包括第一半导体材料之第一层的一部分以及第二半导体材料之第二层的一部分。还揭露的是形成所述装置的方法。