| 摘要 |
<p>본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 반도체 기억장치는 평행하게 배치되는 제 1 및 제 2 워드 라인 그룹들, 제 1 및 제 2 워드 라인 그룹들 사이에 배치되는 더미 워드 라인들, 제 1 워드 라인 그룹과 교차하는 제 1 비트 라인 그룹, 그리고 제 2 워드 라인 그룹과 교차하는 제 2 비트 라인 그룹을 포함하고, 제 1 및 제 2 워드 라인 그룹들, 제 1 및 제 2 비트 라인 그룹들, 그리고 더미 워드 라인들은 동일한 웰 상에 형성된다.</p> |
