发明名称 发光二极体
摘要 本发明提供一种发光二极体,其经组态以防止由于电极或电极衬垫之形成而造成发光区之减少。所述发光二极体包含:下部半导体层,其形成于基板上;上部半导体层,其安置于下部半导体层上方以暴露下部半导体层之边缘区域之至少一部分;第一电极,其形成于上部半导体层之区域上以将电流供应至下部半导体层,绝缘层插入于第一电极与所述上部半导体层之所述区域之间;第二电极,其形成于所述上部半导体层之另一区域上以将电流供应至所述上部半导体层;以及所述第一电极之延伸部分,其自所述第一电极延伸至暴露之所述下部半导体层之至少一部分。
申请公布号 TWI464914 申请公布日期 2014.12.11
申请号 TW099139730 申请日期 2010.11.18
申请人 首尔伟傲世有限公司 南韩 发明人 尹余镇;徐源哲
分类号 H01L33/38 主分类号 H01L33/38
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种发光二极体,其包括:下部半导体层,其形成于基板上;上部半导体层,其安置于所述下部半导体层上方以暴露所述下部半导体层之边缘区域之至少一部分;第一电极,其形成于所述上部半导体层之区域上以将电流供应至所述下部半导体层,其中绝缘层插入于所述第一电极与所述上部半导体层之所述区域之间;第二电极,其形成于所述上部半导体层之另一区域上以将电流供应至所述上部半导体层;以及所述第一电极之延伸部分,其自所述第一电极延伸至暴露之所述下部半导体层之至少一部分,其中所述第一电极之所述延伸部分形成于倾斜凸台表面上,所述倾斜凸台表面自所述上部半导体层延伸至所述下部半导体层。
地址 南韩