荷电粒子束描绘装置

摘要

本发明系提供一种可正确地测定且以高精度描绘试料之表面形状之荷电粒子束描绘装置。;在高度测定部40中，藉由投光透镜42，使由光源41照射之光Li在遮罩2上聚焦后，使在遮罩2上反射之光Lr经由受光透镜43入射至受光元件44。当以受光元件44检测出光之位置时，经由信号处理部60，在高度资料处理部70建立高度资料Hr。若光之Lr之光量为临限值以上，则将高度资料Hr发送至偏向控制部30。另一方面，在光Lr之光量小于临限值之情形，根据描绘前获取之高度资料图Hm，将所对应之座标之高度资料发送至偏向控制部30。偏向控制部30基于从高度资料处理部70发送之高度资料，进行电子束光学系统10之调整。

主权项

一种荷电粒子束描绘装置，其特征为，其系藉由荷电粒子束，对载置于载物台上之试料描绘特定之图案者，且包含：高度测定部，其藉由对前述试料照射光并接收来自前述试料之反射光，而进行前述试料之高度测定；及控制部，其接收从基于描绘前以前述高度测定部测定之值之高度资料图获得之高度资料，与描绘时以前述高度测定部测定之高度资料之任一资料，并调整在前述试料上之前述荷电粒子束之照射位置；其中前述控制部系若前述反射光之光量为临限值以上，则接收描绘时以前述高度测定部测定之高度资料，而若前述反射光之光量小于临限值，则接收从前述高度资料图获得之高度资料。