发明名称 薄膜电晶体阵列基板及其制作方法
摘要 一种薄膜电晶体阵列基板,其包括基板、多个多晶矽岛以及多个闸极。基板具有显示区、闸极驱动区以及源极驱动区。多晶矽岛配置于基板上,且各多晶矽岛具有源极区、汲极区以及位于源极区与汲极区之间的通道区,多晶矽岛包括多个第一多晶矽岛以及多个第二多晶矽岛,其中第一多晶矽岛配置于显示区以及闸极驱动区内,第一多晶矽岛具有主晶界以及次晶界,且第一多晶矽岛的主晶界仅位于源极区及/或汲极区内。第二多晶矽岛配置于源极驱动区内,且第一多晶矽岛中的晶粒尺寸不同于第二多晶矽岛中的晶粒尺寸。闸极配置于基板上,且对应于通道区。
申请公布号 TWI464880 申请公布日期 2014.12.11
申请号 TW097133971 申请日期 2008.09.04
申请人 友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 发明人 孙铭伟;赵志伟
分类号 H01L29/786;H01L21/335 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种薄膜电晶体阵列基板,包括:一基板,具有一显示区、一闸极驱动区以及一源极驱动区;多个多晶矽岛,配置于该基板上,且各该多晶矽岛具有一源极区、一汲极区以及一位于该源极区与该汲极区之间的通道区,该些多晶矽岛包括:多个第一多晶矽岛,配置于该显示区以及该闸极驱动区内,位于该显示区的该些第一多晶矽岛以及位于该闸极驱动区的该些第一多晶矽岛的晶粒尺寸大致相同,该些第一多晶矽岛具有一主晶界以及一次晶界,该些第一多晶矽岛的主晶界仅位于该些源极区及/或该些汲极区内;多个第二多晶矽岛,配置于该源极驱动区内,且该第一多晶矽岛中的晶粒尺寸不同于该第二多晶矽岛中的晶粒尺寸;以及多个闸极,配置于该基板上,且对应于该些通道区。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号