发明名称 Method for manufacturing semiconductor device
摘要 <p>기판상에 제 1 층을 형성하고, 제 1 층상에 광 흡수층을 형성하고, 광 흡수층상에 투광성을 갖는 층을 형성하고, 투광성을 갖는 층측으로부터 광 흡수층에 선택적으로 레이저 빔을 조사한다. 광 흡수층이 레이저 빔의 에너지를 흡수하는 것으로, 광 흡수층 내에서의 기체의 방출, 광 흡수층의 승화 또는 증발 등에 의해, 광 흡수층의 일부 및 광 흡수층에 접하는 투광성을 갖는 층의 일부를 제거한다. 잔존하는 투광성을 갖는 층 또는 광 흡수층을 마스크로서 사용하여, 제 1 층을 에칭함으로써, 종래의 포토리소그래피 기술을 사용하지 않아도, 제 1 층을 원하는 장소에서 원하는 형상으로 가공할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101471822(B1) 申请公布日期 2014.12.11
申请号 KR20070085554 申请日期 2007.08.24
申请人 发明人
分类号 H01L21/027;H01L29/786 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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