包括阶梯结构之装置及其形成之方法

摘要

本发明揭示用于形成半导体结构之方法，包括涉及以下之一方法：形成若干组导电材料与绝缘材料；在该等组上方形成一第一遮罩；形成第一数目个接触区；在该等组之一第一区上方形成一第二遮罩；及在横向毗邻该第一区之一第二曝露区中自该等组中移除材料以形成第二数目个接触区。另一方法包括在若干组导电材料与绝缘材料之部分上形成第一及第二接触区，该等第二接触区中之每一者比该等第一接触区中之每一者更接近于一下伏基板。本发明亦揭示包括横向毗邻之第一与第二区之诸如记忆体器件等装置以及形成此等器件之相关方法，该等横向毗邻之第一与第二区各自包括复数种导电材料之一不同部分之接触区。

主权项

一种形成一半导体结构之方法，其包含：形成复数组导电材料与绝缘材料；在该复数组中之一最顶部组上方形成一第一遮罩；移除该第一遮罩之一部分以曝露该复数组中之该最顶部组之一主表面之一部分；移除该复数组中之该最顶部组之该曝露部分；移除该第一遮罩之另一部分以曝露该最顶部组之该主表面之另一部分，该最顶部组之该主表面之该另一部分系毗邻于该复数组中之该最顶部组之该主表面之该经移除部分；重复该移除该第一遮罩之一部分及该移除该复数组中之该最顶部组之该曝露部分，直至形成第一数目个接触区为止，每一接触区系自其他接触区偏移；在该复数组之一第一区上方形成一第二遮罩；及在横向毗邻该第一区之该复数组之一第二曝露区中自该复数组移除材料以形成第二数目个接触区。