| 摘要 |
<p>본 발명에 따라서 기판 상에 형성되는 하부 전극과; 상기 하부 전극 상에 형성되어 저항 스위칭 특성을 나타내는 금속 산화물 층과; 상기 금속 산화물 층 상에 형성되어, 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자의 상부 전극 및 선택 소자의 하부 전극 역할을 수행하는 전극층과; 상기 전극층 상에 형성되는 다층 구조의 선택 소자와; 상기 선택 소자 상에 형성되는 상부 전극을 포함하고, 상기 선택 소자의 다층 구조는 서로 다른 밴드갭 에너지를 갖는 복수의 층으로 구성되며, 이 경우 상기 전극층에 인접하는 최하층과 상기 상부 전극에 인접하는 최상층은 그 최하층과 최상층 사이에 형성되는 중앙층보다 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 동일 종류의 산화막으로 형성되고, 상기 중앙층은 상기 복수의 층 가장 큰 밴드갭 에너지를 갖는 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자가 제공된다.</p> |
