发明名称 |
发光二极体封装结构 |
摘要 |
一种发光二极体封装结构,包括基板、设置于基板上的电极、与所述电极电性连接的发光二极体晶片及封装层。在所述封装层内对应所述发光二极体晶片的正向出光路径上设置偏转部。该偏转部具有与所述封装层相接的入光面。该偏转部的折射率小于封装层的折射率,使得发光二极体晶片发出的部分光线在所述入光面处发生全反射,而射向偏转部周围的区域。 |
申请公布号 |
TWI464919 |
申请公布日期 |
2014.12.11 |
申请号 |
TW101100476 |
申请日期 |
2012.01.05 |
申请人 |
荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 |
发明人 |
张超雄;林厚德 |
分类号 |
H01L33/48 |
主分类号 |
H01L33/48 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极体封装结构,包括基板、设置于基板上的电极、与所述电极电性连接的发光二极体晶片及封装层,其改进在于,在所述封装层内对应所述发光二极体晶片的正向出光路径上设置偏转部,该偏转部具有与所述封装层相接的入光面,该偏转部的折射率小于封装层的折射率,使得发光二极体晶片发出的部分正向光线在所述入光面处发生全反射,而射向偏转部周围的区域,发光二极体晶片发出的侧向光线直接入射至封装层并出射。 |
地址 |
新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 |