发明名称 一种提高抛光垫使用寿命的单晶硅晶圆片抛光方法
摘要 本发明涉及一种提高抛光垫使用寿命的单晶硅晶圆片抛光方法。使用有蜡贴片机将硅片贴在陶瓷盘上进行抛光;抛光过程包括粗抛光、中抛光和精抛光;抛光机所使用的粗抛光液、中抛光液和精抛光液温度控制在20-30℃范围内,整个抛光过程中的大盘温度控制在40-60℃范围内;抛光液每使用6-8h更换一次;每抛光40min后,使用圆盘刷对抛光机大盘进行刷洗5min;定期检测和修整抛光机大盘表面平整度,最终保证大盘表面平整度≤1.5μm。采取本抛光方法,抛光垫的使用寿命从50h延长到70h左右。从而解决了抛光垫使用寿命短的问题,降低了硅片抛光的加工成本,提高了劳动生产率,一次合格率仍然可以稳定达到90%以上。
申请公布号 CN104191352A 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201410434688.4 申请日期 2014.08.29
申请人 天津中环领先材料技术有限公司 发明人 孙晨光;曲涛;魏艳军;王力
分类号 B24B37/10(2012.01)I 主分类号 B24B37/10(2012.01)I
代理机构 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人 王凤英
主权项 一种提高抛光垫使用寿命的单晶硅晶圆片抛光方法,其特征在于:使用有蜡贴片机将硅片贴在陶瓷盘上进行抛光;抛光过程包括粗抛光、中抛光和精抛光;抛光机所使用的粗抛光液、中抛光液和精抛光液温度控制在20‑30 ℃ 范围内,整个抛光过程中的大盘温度控制 在40‑60℃范围内;粗抛光液、中抛光液和精抛光液每使用6‑8h更换一次;抛光过程中,每抛光40min后,使用圆盘刷对抛光机大盘进行刷洗5min;定期检测和修整抛光机大盘表面平整度,最终保证大盘表面平整度≤1.5μm。
地址 300384 天津市滨海新区华苑技术产业园区(环外)海泰东路12号
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