半导体器件

摘要

本发明公开一种半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：PMOS晶体管，用于处理一个输入信号，PMOS晶体管包括栅极和源极，源极连接到第一电压源；和与PMOS晶体管连接的用于防止PMOS晶体管退化的修复电路，当输入信号是高电平时，修复电路使PMOS晶体管的栅极电压高于第一电压源的电压。本发明的半导体器件，当PMOS晶体管截止时通过修复电路在PMOS晶体管的栅极施加正偏压，加快PMOS晶体管的电学参数恢复，从而提高了PMOS晶体管的性能。

主权项

一种半导体器件，包括：第一电压源，用于提供第一电压；PMOS晶体管，用于处理一个输入信号，所述PMOS晶体管包括栅极和源极，所述源极连接到所述第一电压源；第二电压源，用于提供第二电压，其中所述第二电压高于所述第一电压；和与所述PMOS晶体管的栅极连接的用于防止所述PMOS晶体管退化的修复电路，所述修复电路与所述第二电压源连接，所述输入信号通过所述修复电路施加到所述PMOS晶体管；其中，当所述输入信号是高电平时，所述修复电路使所述PMOS晶体管的栅极电压高于所述第一电压；当所述输入信号是低电平时，所述修复电路使所述PMOS晶体管的栅极电压与所述输入信号的电压幅值基本相同。